18070275866 陳工 
產(chǎn)品中心
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等離子去膠機
此設(shè)備廣泛應(yīng)用于光刻、刻蝕、注入等工藝后的晶圓表面處理。設(shè)備通過干法（等離子體）或濕法（化學(xué)溶液）方式，將光刻過程中殘留在晶圓表面的光刻膠和有機污染物徹底去除，保障后續(xù)工藝的清潔度與良率。 設(shè)備支持多種晶圓尺寸（如 4–8 英寸），可配置自動上下片系統(tǒng)、溫控功能、殘留顆粒過濾系統(tǒng)及化學(xué)藥液循環(huán)系統(tǒng)，適應(yīng)不同制程條件。典型干法去膠系統(tǒng)采用高效氧等離子體源，具有反應(yīng)均勻、處理速度快、環(huán)境友好等優(yōu)勢；濕法系統(tǒng)則通過高溫化學(xué)溶劑處理，適用于厚膠、高殘留或復(fù)雜結(jié)構(gòu)清洗。 去膠機適用于集成電路、功率器件、MEMS、化合物半導(dǎo)體、顯示器和傳感器等多種制造領(lǐng)域，是實現(xiàn)高質(zhì)量圖形轉(zhuǎn)移、刻蝕后潔凈以及提升器件可靠性的基礎(chǔ)設(shè)備之一。
產(chǎn)品描述
一體化設(shè)計: 占地面積0.8m*0.8m (參考)
腔室正下方抽真空: 更好的工藝均勻性
均勻進(jìn)氣:可根據(jù)用戶需求更改進(jìn)氣方式
可配置等離子體放電距離:根據(jù)預(yù)設(shè)參數(shù)進(jìn)行調(diào)整
成本或性能導(dǎo)向可選:可根據(jù)客戶需求提供定制化解決方案
取片方式:開蓋取放片
產(chǎn)品參數(shù)
晶圓尺寸: 4, 6, 8, 12寸或多片晶圓可選
刻蝕材料: 有機物(PR/PMMA/PS納米球等) , 2D材料( MoS2/BN/石墨烯等) , 失效分析等.
真空系統(tǒng): 機械泵
射頻功率: 多種量程可選, 滿量程300-1000w可選
氣體系統(tǒng): 標(biāo)配2路或定制
晶圓冷卻: 水冷
樣品控溫: 從5℃ - 200℃, 可選
不均勻性: 小于± 5 % (去邊)
