18070275866 陳工 
產(chǎn)品中心
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RIE刻蝕機(jī)
RIE反應(yīng)離子刻蝕機(jī)特點(diǎn) 刻蝕范圍：硅基：Si、SiNx、SiO2、Ge、GeSi等;有機(jī)物、Ⅲ-Ⅴ、藍(lán)寶石、SiC、金屬(Au、Ag、W)等 表面改性、干法去膠等 支持8英寸或以下尺寸整片以及碎片刻蝕 氣路數(shù)量可根據(jù)用戶需求配置 水冷控溫，選配背氦控溫 軟硬件互鎖機(jī)制 基于Windows操作軟件，具備系統(tǒng)監(jiān)測(cè)、工藝編輯、參數(shù)顯示等功能，具備儲(chǔ)存工藝日志和操作記錄的能力 可基于用戶需求定制
產(chǎn)品描述
一體化設(shè)計(jì): 占地面積1.0m*1.0m (參考)
腔室正下方抽真空: 更好的工藝均勻性
噴淋頭進(jìn)氣, 可根據(jù)需求作為預(yù)設(shè)參數(shù)進(jìn)行配置
可配置等離子體放電距離
成本或性能導(dǎo)向可選配
取放片方式可選擇
產(chǎn)品參數(shù)
晶圓尺寸: 4, 6, 8, 12英寸或多片晶圓可選
刻蝕材料: 硅基 (Si/SiO2/SiNx/SiC/石英等)
化合物 (InP/GaN/GaAs/Ga2O3/ZnS等)
一維和二維材料 (MoS2/BN/石墨烯等)
金屬 (Au/Pt/W/Ta/Mo等)
真空系統(tǒng): 分子泵與機(jī)械泵
射頻功率: 滿量程300-1000W可選, 根據(jù)樣品尺寸定制
氣體系統(tǒng): 標(biāo)配4路或定制
晶圓冷卻: 水冷或背He冷卻可選
樣品控溫: -70?C到200?C可選, 根據(jù)需求定制
不均勻性: 小于±5% (去邊)
