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立式LPCVD
立式 LPCVD（Low Pressure Chemical Vapor Deposition）設備是一種高溫、高均勻性的薄膜沉積系統，廣泛應用于半導體制造、MEMS 工藝、光電器件和材料科學領域。該設備采用立式爐管結構，可實現晶圓垂直加載與多批次沉積，具備良好的膜厚均勻性、高通量和優異的批間一致性，特別適合科研平臺和中試線的工藝開發與規模放大實驗。
產品描述
系統支持多種氣體前驅體反應，能夠沉積氮化硅(Si?N?), 氧化硅(SiO?) , 多晶硅(Poly-Si), 硼磷硅玻璃(BPSG)等多種功能膜層，適配4–8英寸晶圓或定制基底。搭配精密的真空控制系統、自動化工藝控制模塊和安全聯鎖機制，確保設備運行穩定、高效、安全。全自動傳送,定位精準,穩定可靠；設備內部形成局部凈化環境,有效控制污染,工藝氣體充分預熱,氣氛均勻,精確溫控；高潔凈工藝環境；薄膜均勻性佳。
產品參數
晶片尺寸：8*（兼容6*）；
典型工藝溫度：500℃~800℃；
恒溫區長度：≥560mm；
單點溫控精度：≤±0.5℃；
最大載片量：170片；
極限真空：≤20 mtorr；
新增顆粒：≤30（≥0.2μm）；
金屬污染：＜5E 10atm/cm2
